IRF1010 N-MOSFET транзистор

Структура:

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток:

55V

Максимальный ток сток-исток при 25°С:

84A

Максимальное напряжение затвор-исток:

±20V

Сопротивление канала в открытом состоянии:

0.011 Ом

Максимальная рассеиваемая мощность:

170 W

Типоразмер:

TO-220

Описание

Характеристики

Отзывы

IRLB1010 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET). Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Структура:

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток:

55V

Максимальный ток сток-исток при 25°С:

84A

Максимальное напряжение затвор-исток:

±20V

Сопротивление канала в открытом состоянии:

0.011 Ом

Максимальная рассеиваемая мощность:

170 W

Типоразмер:

TO-220

Отзывы

Оставьте отзыв

Товар временно отсутствует

К предыдущему товару

IRF1404 N-MOSFET транзистор

К следующему товару

IRFB8721 N-MOSFET транзистор