Ежедневно 10:00 - 22:00

IRF510N N-MOSFET транзистор

Структура:

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток:

100V

Максимальный ток сток-исток при 25°С:

11A

Максимальное напряжение затвор-исток:

±20V

Сопротивление канала в открытом состоянии:

0.35 Ом

Максимальная рассеиваемая мощность:

20 W

Типоразмер:

TO-220

Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор IRF510 n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.

К предыдущему товару

IRF530N N-MOSFET транзистор

К следующему товару

IRF3205 N-MOSFET транзистор

Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая работу с сайтом, вы даете свое согласие на работу с этими файлами.

Согласен