Ежедневно 10:00 - 22:00

IRF520N N-MOSFET транзистор

Структура:

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток:

100V

Максимальный ток сток-исток при 25°С:

9.7A

Максимальное напряжение затвор-исток:

±20V

Сопротивление канала в открытом состоянии:

0.2 Ом

Максимальная рассеиваемая мощность:

48 W

Типоразмер:

TO-220

Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор IRF520 n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

К предыдущему товару

IRF640N N-MOSFET транзистор

К следующему товару

IRF840 N-MOSFET транзистор

Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая работу с сайтом, вы даете свое согласие на работу с этими файлами.

Согласен