Ежедневно 10:00 - 22:00

IRF530N N-MOSFET транзистор

Структура:

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток:

100V

Максимальный ток сток-исток при 25°С:

14A

Максимальное напряжение затвор-исток:

±20V

Сопротивление канала в открытом состоянии:

0.16 Ом

Максимальная рассеиваемая мощность:

88 W

Типоразмер:

TO-220

Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор IRF530 n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

К предыдущему товару

IRF740 N-MOSFET транзистор

К следующему товару

IRF510N N-MOSFET транзистор

Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая работу с сайтом, вы даете свое согласие на работу с этими файлами.

Согласен